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芯动未来，氮化镓声｜格晶半导体邀您共赴CITE 2026，聆听第三代半导体前沿之声
2026年04月08日        来源：CITE电博会

当绿色能源革命与高效电子时代交汇，第三代半导体正成为驱动产业升级的核心引擎。2026年4月9日至11日，亚洲电子信息产业的风向标——第十四届中国电子信息博览会（CITE 2026） 将在深圳会展中心（福田）盛大启幕。本届博览会以“新技术、新产品、新场景”为主题，将汇聚超千家国内外领军企业，全面展示从基础材料、核心元器件到智能终端应用的全产业链创新生态。

在这场聚焦前沿科技的顶级盛会上，上海格晶半导体有限公司 将不仅携其领先的氮化镓（GaN）功率器件及解决方案重磅亮相，更将带来深度技术分享报告，与业界同仁共探第三代半导体赋能千行百业的无限可能。

本次代表格晶半导体进行技术分享的，正是其深厚技术底蕴的体现。公司依托西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点实验室氮化镓技术团队超过二十年的研究基础和产业化经验，其创始团队是国内唯一在氮化镓领域获得国家技术发明二等奖的团队。作为一家专业的氮化镓电子器件IDM（垂直整合制造） 企业，格晶半导体致力于构建从外延材料、芯片设计、制造到销售的全产业链生态。

公司的实力已获行业高度认可，在2025年同时斩获“中国GaN器件十强企业”、“第三代半导体年度成长企业”及“年度优秀产品奖”三项行业重磅大奖。其创新产品“蓝宝石基超薄GaN HEMT外延片”，代表了氮化镓高耐压、高可靠性、低成本的发展趋势，已实现批量销售。

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展会报告前瞻：聆听产业变革的“芯”声音

在CITE 2026的系列高端论坛中，格晶半导体的技术报告将聚焦以下核心议题，为与会者带来前瞻洞察：

1.氮化镓功率器件的技术演进与格晶的产业化突破：分享公司在GaN HEMT器件结构设计、材料生长及工艺制造方面的最新进展，如何实现更高频率、更高效率与更高可靠性。

2.赋能绿色能源与高效电源：深入探讨氮化镓技术在快充、数据中心电源、新能源逆变器、工业电机驱动等领域的应用解决方案与落地案例，解析如何助力“双碳”目标。

3.国产氮化镓全产业链的自主创新之路：结合公司从外延片（江苏芯港）到晶圆制造（江西万年晶）的IDM实践，分享构建自主可控供应链的经验与思考。

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相约CITE 2026，共绘产业新图景

中国电子信息博览会（CITE）是工业和信息化部与深圳市人民政府共同打造的国家级平台，已成为洞察行业趋势、寻找合作机遇的绝佳窗口。

我们诚挚邀请各位行业伙伴、专家学者、投资机构及媒体朋友，莅临深圳会展中心（福田），参观格晶半导体展台，并特别关注我们的4.9号下午的专题技术报告会场。

在这里，您不仅能亲眼见证高性能氮化镓器件的实物展示，更能与我们的技术专家面对面，深入探讨技术细节、产业痛点及未来合作方向。

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展会信息

名称：第十四届中国电子信息博览会 (CITE 2026)

时间：2026年4月9日-11日

地点：深圳会展中心（福田）

格晶半导体参与：专题展台 + 技术报告分享

让我们相约四月鹏城，在CITE 2026的智慧激荡中，共同聆听来自氮化镓技术前沿的强劲“芯”声，携手开启高效、绿色的电子新未来！

 

 

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